半導體導電型號鑒別儀 硅單晶材料PN測量儀

型號：SN/STZ-8

北京半導體導電型號鑒別儀主要技術指標：

1． 測量范圍：硅單晶材料電阻率10-4~103Ω?cm

溫差法：10-4~10Ω?cm

整流法：10~103Ω?cm，并對<0.1Ω?cm的材料具有聲光報警功能。

2． 北京半導體導電型號鑒別儀可測量材料：半導體硅棒和硅片，及硅碎顆粒。

可測半導體材料尺寸：Φ15~Φ150 mm以上。

3． 顯示方式：P、N 燈顯示。

4． 測試探頭：手持式 探針間距3 mm 探針Φ1mm 高速鋼

5． 電源：220V 50HZ 20W

6． 儀器尺寸：100×260×260主要技術指標：

1． 測量范圍：硅單晶材料電阻率10-4~103Ω?cm

溫差法：10-4~10Ω?cm

整流法：10~103Ω?cm，并對<0.1Ω?cm的材料具有聲光報警功能。

2． 可測量材料：半導體硅棒和硅片，及硅碎顆粒。

可測半導體材料尺寸：Φ15~Φ150 mm以上。

3． 顯示方式：P、N 燈顯示。

4． 測試探頭：手持式 探針間距3 mm 探針Φ1mm 高速鋼

5． 電源：220V 50HZ 20W

6． 儀器尺寸：100×260×260主要技術指標：

1． 測量范圍：硅單晶材料電阻率10-4~103Ω?cm

溫差法：10-4~10Ω?cm

整流法：10~103Ω?cm，并對<0.1Ω?cm的材料具有聲光報警功能。

2． 可測量材料：半導體硅棒和硅片，及硅碎顆粒。

可測半導體材料尺寸：Φ15~Φ150 mm以上。

3． 顯示方式：P、N 燈顯示。

4． 測試探頭：手持式 探針間距3 mm 探針Φ1mm 高速鋼

5． 電源：220V 50HZ 20W

6． 儀器尺寸：100×260×260主要技術指標：

1． 測量范圍：硅單晶材料電阻率10-4~103Ω?cm

溫差法：10-4~10Ω?cm

整流法：10~103Ω?cm，并對<0.1Ω?cm的材料具有聲光報警功能。

2． 可測量材料：半導體硅棒和硅片，及硅碎顆粒。

可測半導體材料尺寸：Φ15~Φ150 mm以上。

3． 顯示方式：P、N 燈顯示。

4． 測試探頭：手持式 探針間距3 mm 探針Φ1mm 高速鋼

5． 電源：220V 50HZ 20W

6． 儀器尺寸：100×260×260主要技術指標：

1． 測量范圍：硅單晶材料電阻率10-4~103Ω?cm

溫差法：10-4~10Ω?cm

整流法：10~103Ω?cm，并對<0.1Ω?cm的材料具有聲光報警功能。

2． 可測量材料：半導體硅棒和硅片，及硅碎顆粒。

可測半導體材料尺寸：Φ15~Φ150 mm以上。

3． 顯示方式：P、N 燈顯示。

4． 測試探頭：手持式 探針間距3 mm 探針Φ1mm 高速鋼

5． 電源：220V 50HZ 20W

6． 儀器尺寸：100×260×260